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iPS細(xì)胞培養(yǎng)基
貨號(hào):WS-IPS-100
規(guī)格:500mL
儲(chǔ)存條件:基礎(chǔ)培養(yǎng)基2 ~ 8℃,添加劑-80 ~ -20℃;混勻后2 ~ 8℃,2周內(nèi)使用完畢。
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
iPS細(xì)胞培養(yǎng)基是一種適用于無飼養(yǎng)層培養(yǎng)、化學(xué)成分明確、并且不含動(dòng)物源蛋白的人多潛能干細(xì)胞(hESC/hiPSC)wan全培養(yǎng)基。iPS細(xì)胞培養(yǎng)基是在James Thomson實(shí)驗(yàn)室開發(fā)的Essential 8培養(yǎng)基的基礎(chǔ)上,由公司改良研發(fā)出的最新型多潛能干細(xì)胞wan全培養(yǎng)基。hESC/hiPSC在iPS細(xì)胞培養(yǎng)基中可以快速增殖,而分化的細(xì)胞則無法在該培養(yǎng)基中生長(zhǎng),從而選擇性擴(kuò)增并獲得高純度多潛能干細(xì)胞。
產(chǎn)品內(nèi)容:
名稱 | 規(guī)格 | 數(shù)量 |
iPS細(xì)胞基礎(chǔ)培養(yǎng)基 | 500mL | 1瓶 |
iPS細(xì)胞添加劑 | 20mL | 1支 |
試劑準(zhǔn)備:
iPS細(xì)胞wan全培養(yǎng)基:將iPS細(xì)胞添加劑加入iPS細(xì)胞基礎(chǔ)培養(yǎng)基中形成iPS細(xì)胞wan全培養(yǎng)基(推薦每2mL添加劑與50mL基礎(chǔ)培養(yǎng)基混合)。
iPS細(xì)胞wan全培養(yǎng)基可在2-8℃穩(wěn)定儲(chǔ)存2-3周。
疑難解答:
•是否還需要往iPS細(xì)胞wan全培養(yǎng)基中補(bǔ)充或添加成分?
不需要。iPS細(xì)胞培養(yǎng)基中各個(gè)成分的質(zhì)量和濃度都經(jīng)過了優(yōu)化實(shí)驗(yàn),wan全支持人ESC/iPSC的長(zhǎng)期培養(yǎng),您無需再自行添加。
•培養(yǎng)基中有沉淀狀物質(zhì)是否是質(zhì)量問題?
添加劑在解凍過程中,若有少量沉淀析出,屬于正?,F(xiàn)象,不影響使用,請(qǐng)充分混勻后與基礎(chǔ)培養(yǎng)基混合。但添加劑不能在37℃解凍,否則會(huì)析出大量沉淀,影響培養(yǎng)基的效價(jià)。如果培養(yǎng)基中出現(xiàn)大量沉淀,請(qǐng)不要使用。
•是否能在37 ℃反復(fù)水浴iPS細(xì)胞wan全培養(yǎng)基?
不能。頻繁地在4℃和37℃之間轉(zhuǎn)換會(huì)導(dǎo)致iPS細(xì)胞wan全培養(yǎng)基中含有的因子失活,iPS細(xì)胞wan全培養(yǎng)基在使用前平衡至室溫即可。
• iPS細(xì)胞在傳代后不貼壁怎么解決?
造成iPS傳代后不貼壁的最可能的原因:
① 細(xì)胞消化時(shí)間不合適;②消化后吹打次數(shù)不合適,使得完成傳代后細(xì)胞集落過大或過小。
• iPS分化怎么處理?
①細(xì)胞在剛復(fù)蘇或傳代時(shí),小的細(xì)胞團(tuán)不呈現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)的克隆形態(tài),培養(yǎng)幾天或傳代后可恢復(fù)。②如果iPS分化的表現(xiàn)為干細(xì)胞克隆形態(tài)良好,克隆周邊出現(xiàn)散在的分化細(xì)胞,可通過高比例傳代(≥1:10),使得分化細(xì)胞的密度減少,低密度的分化細(xì)胞可被iPS培養(yǎng)體系篩選去除,如未wan全去除,可用細(xì)胞刮或巴斯德管刮除。
③如果iPS分化的表現(xiàn)為克隆內(nèi)部松散,邊緣不平滑,在分化比例小或分化不嚴(yán)重的情況下,可通過連續(xù)傳代2 ~ 3次恢復(fù),如果分化嚴(yán)重,建議棄除。
• 細(xì)胞復(fù)蘇率低是什么原因?
細(xì)胞復(fù)蘇需使用iPS細(xì)胞復(fù)蘇培養(yǎng)基,可大大提高細(xì)胞的復(fù)蘇效率。復(fù)蘇過程中,轉(zhuǎn)移細(xì)胞、吹打混勻和重懸細(xì)胞時(shí),吹打力度要輕柔,并盡量減少吹打次數(shù),細(xì)胞接種后,即刻在顯微鏡下觀察細(xì)胞團(tuán)塊的大小,4 ~ 10個(gè)細(xì)胞的團(tuán)塊為最佳。如果吹打力度過大或次數(shù)過多,
導(dǎo)致細(xì)胞分散成單細(xì)胞,細(xì)胞復(fù)蘇率將偏低。